MRAM, Magnetic Random Access Memory; la memoria del futuro
Ya hemos tratado los primeros dos de los cinco grandes avances tecnológicos patentados durante 2003 según MIT Technology Review:
Telefóno por Internet y
Software para el reconocimiento de voz
El tercero de los 5 mejores patentes del año pasado es una técnica, desarrollada por Motorola, que permite escribir de forma más exacta la información sobre los microchips de memoria magnética. Este nuevo avance tecnológico permitirá comercializar una nueva clase de memoria semi-conductor no volátil.
Desde hace años investigadores consideran que la memoria MRAM (Magnetic Ramdom Access Memory, cuya traducción literal sería Memoria Magnética de Acceso Aleatorio), tiene todo el potencial para liderar la próxima generación de memorias. Su ventaja se deriva del hecho de que, a diferencia de otras memorias utilizadas hasta ahora, la MRAM utiliza campos magnéticos para el procesamiento de la memoria (lo que supone un gran ahorro de energía eléctrica), no pierde datos cuando se apaga el aparato y es más rápida y más resistente que las memorias actuales. Todo esto hace que su aplicación resulta muy atractiva para distintos tipos de aparatos, desde ordenadores portátiles hasta cámaras digitales.
No obstante, hasta ahora los científicos no habían conseguido la fiabilidad de la memoria, ya que el propio sistema magnético provocaba errores. MRAM guarda datos dentro de un número de pequeñas células, y luego pequeñas cargas eléctricas escriben los datos al mover las células. El problema es que, al ser tan pequeñas las células, a veces las cargas se mueven otras células además de la célula objetiva, con el resultado de que los datos adquiridos contienen errores.
El año pasado científicos de Motorola terminaron las pruebas iniciadas por el fallecido Leonid Savtchenko, y patentaron el método que éste inventó por el que se envían los cargas eléctricas en dos pasos, de tal forma que solo se toca la célula objetiva. Este gran avance tecnológico permite hacer por fin fiable el sistema MRAM y los primeros microchips MRAM saldrán al mercado durante este año.
Telefóno por Internet y
Software para el reconocimiento de voz
El tercero de los 5 mejores patentes del año pasado es una técnica, desarrollada por Motorola, que permite escribir de forma más exacta la información sobre los microchips de memoria magnética. Este nuevo avance tecnológico permitirá comercializar una nueva clase de memoria semi-conductor no volátil.
Desde hace años investigadores consideran que la memoria MRAM (Magnetic Ramdom Access Memory, cuya traducción literal sería Memoria Magnética de Acceso Aleatorio), tiene todo el potencial para liderar la próxima generación de memorias. Su ventaja se deriva del hecho de que, a diferencia de otras memorias utilizadas hasta ahora, la MRAM utiliza campos magnéticos para el procesamiento de la memoria (lo que supone un gran ahorro de energía eléctrica), no pierde datos cuando se apaga el aparato y es más rápida y más resistente que las memorias actuales. Todo esto hace que su aplicación resulta muy atractiva para distintos tipos de aparatos, desde ordenadores portátiles hasta cámaras digitales.
No obstante, hasta ahora los científicos no habían conseguido la fiabilidad de la memoria, ya que el propio sistema magnético provocaba errores. MRAM guarda datos dentro de un número de pequeñas células, y luego pequeñas cargas eléctricas escriben los datos al mover las células. El problema es que, al ser tan pequeñas las células, a veces las cargas se mueven otras células además de la célula objetiva, con el resultado de que los datos adquiridos contienen errores.
El año pasado científicos de Motorola terminaron las pruebas iniciadas por el fallecido Leonid Savtchenko, y patentaron el método que éste inventó por el que se envían los cargas eléctricas en dos pasos, de tal forma que solo se toca la célula objetiva. Este gran avance tecnológico permite hacer por fin fiable el sistema MRAM y los primeros microchips MRAM saldrán al mercado durante este año.
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